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電子技術(shù)基礎(chǔ)作業(yè)答案
電子技術(shù)基礎(chǔ)會出什么樣的題型呢？考什么內(nèi)容呢？下面是小編為大家收集整理的電子技術(shù)基礎(chǔ)作業(yè)相關(guān)內(nèi)容，歡迎閱讀。
一、填空題：（每空0.5分，共25分）
1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為 自由電子 ，少數(shù)載流子為 空穴 ，不能移動的雜質(zhì)離子帶 正 電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的 三 價元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為 空穴 ，少數(shù)載流子為 自由電子 ，不能移動的雜質(zhì)離子帶 負 電。
2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由區(qū)及結(jié)和結(jié)組成的。三極管對外引出的電極分別是 發(fā)射 極、 基 極和 集電 極。
3、PN結(jié)正向偏置時，外電場的方向與內(nèi)電場的方向有利于 ；PN結(jié)反向偏置時，外電場的方向與內(nèi)電場的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 運動而不利于 多子 的 擴散 ，這種情況下的電流稱為 反向飽和 電流。
4、PN結(jié)形成的過程中，P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子由N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子由 N 向 P 區(qū)進行擴散。擴散的結(jié)果使它們的交界處建立起一個 空間電荷區(qū) ，其方向由 N 區(qū)指向 P 區(qū)。 空間電荷區(qū) 的建立，對多數(shù)載流子的 擴散 起削弱作用，對少子的 漂移 起增強作用，當這兩種運動達到動態(tài)平衡時， PN結(jié) 形成。
5、檢測二極管極性時，需用萬用表歐姆擋的檔位，當檢測時表針偏轉(zhuǎn)度較大時，與紅表棒相接觸的電極是二極管的 陰 極；與黑表棒相接觸的電極是二極管的 陽 極。檢測二極管好壞時，兩表棒位置調(diào)換前后萬用表指針偏轉(zhuǎn)都很大時，說明二極管已經(jīng)被 擊穿 ；兩表棒位置調(diào)換前后萬用表指針偏轉(zhuǎn)都很小時，說明該二極管已經(jīng) 絕緣老化。
6、單極型晶體管又稱為溝道和溝道。
7、穩(wěn)壓管是一種特殊物質(zhì)制造的接觸型二極管，正常工作應(yīng)在特性曲線的 反向擊穿 區(qū)。
二、判斷正誤：（每小題1分，共10分）
1、P型半導(dǎo)體中不能移動的雜質(zhì)離子帶負電，說明P型半導(dǎo)體呈負電性。 （錯）
2、自由電子載流子填補空穴的“復(fù)合”運動產(chǎn)生空穴載流子。 （對）
3、用萬用表測試晶體管時，選擇歐姆檔R×10K檔位。 （錯） （錯）
5、無論在任何情況下，三極管都具有電流放大能力。 （錯） 1 4、PN結(jié)正向偏置時，其內(nèi)外電場方向一致。（PN結(jié)反向偏置時，其內(nèi)外電場方向一致 ）
6、雙極型晶體管是電流控件，單極型晶體管是電壓控件。 （對）
7、二極管只要工作在反向擊穿區(qū)，一定會被擊穿。 （錯）
8、當三極管的集電極電流大于它的最大允許電流ICM時，該管必被擊穿。 （錯）
9、雙極型三極管和單極型三極管的導(dǎo)電機理相同。 （錯）
10、雙極型三極管的集電極和發(fā)射極類型相同，因此可以互換使用。 （錯）
三、選擇題：（每小題2分，共20分）
1、單極型半導(dǎo)體器件是（ C ）。
A、二極管； B、雙極型三極管； C、場效應(yīng)管； D、穩(wěn)壓管。
2、P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入微量的（ A ）元素構(gòu)成的。
A、三價； B、四價； C、五價； D、六價。
3、穩(wěn)壓二極管的正常工作狀態(tài)是（ C ）。
A、導(dǎo)通狀態(tài)； B、截止狀態(tài)； C、反向擊穿狀態(tài)； D、任意狀態(tài)。
4、用萬用表檢測某二極管時，發(fā)現(xiàn)其正、反電阻均約等于1KΩ，說明該二極管
（ C ）。
A、已經(jīng)擊穿； B、完好狀態(tài)； C、內(nèi)部老化不通； D、無法判斷。
5、PN結(jié)兩端加正向電壓時，其正向電流是（ A ）而成。
A、多子擴散； B、少子擴散； C、少子漂移； D、多子漂移。
6、測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，
說明此三極管處在（ A ）。
A、放大區(qū)； B、飽和區(qū)； C、截止區(qū)； D、反向擊穿區(qū)。
7、絕緣柵型場效應(yīng)管的輸入電流（ C ）。
A、較大； B、較小； C、為零； D、無法判斷。
8、正弦電流經(jīng)過二極管整流后的波形為（ C ）。
A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍為正弦波。
9、三極管超過(C）所示極限參數(shù)時，必定被損壞。
A、集電極最大允許電流ICM； B、集—射極間反向擊穿電壓U（BR）CEO；
C、集電極最大允許耗散功率PCM； D、管子的電流放大倍數(shù) 。
10、若使三極管具有電流放大能力，必須滿足的外部條件是（ C ）
A、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏； B、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；
C、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏； D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏。
四、簡答題
1、N型半導(dǎo)體中的多子是帶負電的自由電子載流子，P型半導(dǎo)體中的多子是帶正電的空穴載流子，因此說N型半導(dǎo)體帶負電，P型半導(dǎo)體帶正電。上述說法對嗎？為什么？
答：這種說法是錯誤的。因為，晶體在摻入雜質(zhì)后，只是共價鍵上多出了電子或少了電子，從而獲得了N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體，但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子，所以仍呈電中性。
2、某人用測電位的方法測出晶體管三個管腳的對地電位分別為管腳①12V、管腳②3V、管腳③3.7V，試判斷管子的類型以及各管腳所屬電極。
答：管腳③和管腳②電壓相差0.7V，顯然一個硅管，是基極，一個是發(fā)射極，而管腳①比管腳②和③的電位都高，所以一定是一個NPN型硅管。再根據(jù)管子在放大時的原則可判斷出管腳②是發(fā)射極，管腳③是基極，管腳①是集電極。
3、已知E=5V，ui=10sinωtV，
二極管為理想元件（即認為正向?qū)〞r電阻R=0，反向阻斷時電阻R=∞），試畫出u0的波形。
答：分析：根據(jù)電路可知，當ui>E時，二極管導(dǎo)通u0=ui，當ui<E時，二極管截止時，u0=E。
4、半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機理有什么不同？單極型和雙極型晶體管的導(dǎo)電情況又有何不同？
答：金屬導(dǎo)體中只有自由電子一種載流子參與導(dǎo)電，而半導(dǎo)體中則存在空穴載流子和自由電子兩種載流子，它們同時參與導(dǎo)電，這就是金屬導(dǎo)體和半導(dǎo)體導(dǎo)電機理上的本質(zhì)不同點。單極型晶體管內(nèi)部只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此和雙極型晶體管中同時有兩種載流子參與導(dǎo)電也是不同的。
5、硅穩(wěn)壓管DZ1的穩(wěn)定電壓為8V，DZ2的穩(wěn)定電壓為6V，正向壓降均為0.7V，求各電路的輸出電壓U0。
答：（a）圖：兩穩(wěn)壓管串聯(lián)，總穩(wěn)壓值為14V，所以U0=14V；
（b）圖：兩穩(wěn)壓管并聯(lián)，輸出電壓按小值計，因此U0=6V；
（c）圖：兩穩(wěn)壓管反向串聯(lián)，U0=8.7V；
（d）圖：兩穩(wěn)壓管反向并聯(lián)，可認為DZ1截止不通，則U0=0.7V。
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